Journal of Thermoelectricity

Кошик
(6 позицій)

Каталог

Швидкий пошук

Сабо Е.П.

ТЕХНОЛОГИЯ ХАЛЬКОГЕННЫХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ. ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЯ КОММУТАЦИИ ВЕТВЕЙ ТЕРМОЭЛЕМЕНТА 3.2. Совместное прессование
Сухумский физико-технический институт, Кодорское шоссе, 665,г. Сухуми, 384914, Абхазия

$10.00

Фреїк Д.М., Дикун Н.І., Борик В.В.

НОВІ АСПЕКТИ ОПТИМІЗАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНИХ МАТЕРІАЛІВ НА ОСНОВІ ПЛЮМБУМ ТЕЛУРИДУ
Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету ім. В. Стефаника, вул. Т. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, Україна, 56308

Подано аналіз нових фізико-технологічних підходів до покращення термоелектричних параметрів матеріалів на основі плюмбум телуриду як для середньої (500 – 700 К), так і низькотемпературної (150 – 200 К) областей. Показано, що оптимальні властивості твердого розчину PbTe-Sb₂Te₃ визначаються значним зменшенням теплопровідності, а PbTe_xSn_xTe – збільшенням питомої електропровідності й активністю катіонних вакансій. Нецентральне розташування

$10.00

Горинь А.М., Стадник Ю.В., Ромака Л.П., Ромака В.В., Мельнич

ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ НАПІВПРОВІДНИКА n-HfNiSn ДОНОРНОЮ ДОМІШКОЮ Sb НА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СПЛАВІВ
Львівський національний університет ім. Івана Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, Львів, 79005, Україна

Вивчено вплив легування напівпровідника n-HfNiSn донорною домішкою сурми на величину коефіцієнта термоелектричної потужності. Досліджено кристалічну та електронну структуру, температурні залежності питомого електроопору і коефіцієнта термоЕРС в температурному інтервалі 80 – 380 К, твердого розчину заміщення HfNiSn_1-хSb_х (x = 0  0.1). Показано, що незначне заміщення Sn на Sb (x = 0.005) призводить до переходу провідності від активаційної до металічної. В око

Горинь А.М., Стадник Ю.В., Ромака Л.П., Ромака В.В., Мельниченко

$10.00

Глухов К.Е., Хархаліс Л.Ю., Шнайдер М.

АНІЗОТРОПІЯ ФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ У ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ CdSb-ZnSb
¹Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський національний університет,вул. Волошина, 54, Ужгород, 88000, Україна;
²Інститут фізики, Жешувський університет, вул. Рейтана, 16а, Жешув, 35-310, Польща

Розрахунки з перших принципів виконано для зонної структури й параметрів анізотропії впорядкованих твердих розчинів Cd_0.5Zn_0.5Sb Отримано оцінки ефективних мас у зонах провідності й валентних зонах цих твердих розчинів. Крім того, показано, що зміна анізотропії компонентів тензора ефективної маси призводить до можливості виникнення у твердих розчинах Cd_0.5Zn_0.5Sb

$10.00

Алієв Ф.Ф., Джафаров М. Б., Садінова А.А., Годжаєв Е.М.

ПІДВИЩЕННЯ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОЇ ЕФЕКТИВНОСТІ ЗА ДОПОМОГОЮ ДОБАВКИ Ag І Se B Ag₂Se
¹1Інститут фізики НАН Азербайджану, пр. Г. Джавіда, 33, Баку,AZ1143, Азербайджан;
²Азербайджанський технічний університет, пр. Г. Джавіда, 25, Баку, AZ1073, Азербайджан

На підставі температурних залежностей електропровідності (), термоЕРС (0) і теплопровідності ( ) розраховані термоелектрична потужність і добротність z в Ag₂Se в інтервалі температур 100  300 К. Показано, що надлишок Ag і Se в Ag₂Se призводить до збільшення й z відповідно. Зроблено припущення, що Ag₂Se внаслідок великої кількост

Алієв Ф.Ф., Джафаров М. Б., Садінова А.А., Годжаєв Е.М.

$10.00

Радченко М.В., Лашкарьов Г.В.

ТЕРМОЕЛЕКТРОРУШІЙНА СИЛА ЯК ВИСОКОІНФОРМАТИВНИЙ ЗАСІБ ХАРАКТЕРИЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКІВ (Огляд)
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, вул. Кржижанівського, 3, Київ, 03680, Україна

Показані можливості вивчення термоелектрорушійної сили як методу всебічного дослідження напівпровідників. Розглянуто поведінку термоЕРС напівпровідників як нелегованих, так і легованих магнітними домішками. Зокрема, термоелектричні дослідження магніторозведених напівпровідників дають можливість одержати інформацію про однорідність розподілу магнітного компонента в матриці й про характер обмінної взаємодії носіїв струму з магнітними іонами.

$10.00