Journal of Thermoelectricity

Корзина
(5 позиций)

Каталог

Быстрый поиск

Сабо Е.П.

ТЕХНОЛОГИЯ ХАЛЬКОГЕННЫХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ. ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЯ КОММУТАЦИИ ВЕТВЕЙ ТЕРМОЭЛЕМЕНТА 3.2. Совместное прессование
Сухумский физико-технический институт, Кодорское шоссе, 665,г. Сухуми, 384914, Абхазия

$10.00

Фреик Д.М., Дыкун Н.И., Борык В.В.

НОВЫЕ АСПЕКТЫ ОПТИМИЗАЦИИ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА
Физико-химический институт Прикарпатского национального университета им. Василия Стефаника, ул. Т. Шевченко, 57, Ивано-Франковск, 56308, Украина

Представлен анализ новых физико-технологических подходов к улучшению термоэлектрических параметров материалов на основе теллурида свинца как для средней (500 – 700 К), так и низкотемпературной (150 – 200 К) областей. Показано, что оптимальные свойства твердого раствора PbTe-Sb₂Te₃ определяются значительным уменьшением теплопроводности, а PbTe_xSn_xTe – увеличением удельной электропроводности и активностью катионных вакан¬сий. Нецентральное

$10.00

Горынь А.М., Стадник Ю.В., Ромака Л.П., Ромака В.В., Мельнич

ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА n-HfNiSn ДОНОРНОЙ ПРИМЕСЬЮ Sb НА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ
Львовский национальный университет им. Ивана Франка, ул. Кирилла и Мефодия, 6, Львов, 79005, Украина

Изучено влияние легирования полупроводника n-HfNiSn донорной примесью сурьмы на величину коэффициента термоэлектрической мощности. Исследована кристаллическая и электронная структуры, температурные зависимости удельного электросопротивления и коэффициента термоЭДС твердого раствора замещения HfNiSn1-хSbх (х = 0  0.1) в температурном интервале 80 – 380 К. Показано, что незначительное замещение атомов Sn атомами Sb (х = 0.005) приводит к переходу проводимости от активационной к металлической. Вблизи этой концентрации элем

Горынь А.М., Стадник Ю.В., Ромака Л.П., Ромака В.В., Мельниченко

$10.00

Глухов К.Е., Хархалис Л.Ю., Шнайдер М.

АНИЗОТРОПИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ CdSb-ZnSb
¹Институт физики и химии твердого тела, Ужгородский национальный университет, ул. Волошина, 54, Ужгород, 88000, Украина,
²Институт физики, Жешувский университет, ул. Рейтана, 16а, Жешув,35-310, Польша

Расчеты из первых принципов выполнены для зонной структуры и параметров анизотропии упорядоченных твердых растворов Cd_0.5Zn_0.5Sb. Получены оценки эффективных масс в зонах проводимости и валентных зонах этих твердых растворов. Кроме того, показано, что изменение анизотропии компонентов тензора эффективной массы приводит к возможности возникновения в твердых растворах Cd_0.5Zn_0.5

$10.00

Алиев Ф.Ф., Джафаров М. Б., Саддинова А.А., Годжаев Э.М.

ПОВЫШЕНИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ С ПОМОЩЬЮ ДОБАВОК Ag И Se В Ag₂Se
¹Институт физики НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 33, Баку, AZ1143, Азербайджан,
²Азербайджанский технический университет, пр. Г. Джавида, 25, Баку, AZ1073, Азербайджан

На основании температурных зависимостей электропроводимости (), термоЭДС (0) и теплопроводности ( ) рассчитаны термоэлектрическая мощность и добротность z в Ag₂Se в интервале температур 100  300 К. Показано, что избыток Ag и Se в Ag₂Se приводит к увеличению и z соответственно. Сделано предложение, что Ag₂Se из-за большого

Алиев Ф.Ф., Джафаров М. Б., Саддинова А.А., Годжаев Э.М.

$10.00

Радченко М.В., Лашкарёв Г.В.

ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩАЯ СИЛА КАК ВЫСОКОИНФОРМАТИВНОЕ СРЕДСТВО ХАРАКТЕРИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (Обзор)
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, Киев, 03680, Украина

Показаны возможности изучения термоэлектродвижущей силы как метода всестороннего исследования полупроводников. Рассмотрено поведение термоЭДС полупроводников как нелегированных, так и легированных магнитными примесями. В частности, термоэлектрические исследования магниторазведенных полупроводников дают возможность получить информацию об однородности распределения магнитной компоненты в матрице и о характере обменного взаимодействия носителей тока с магнитными ионами.

$10.00