Метод непосредственного измерения добротности был предложен Харманом в 1958 году. С тех пор этот метод широко применяется для определения характеристик термоэлектри-ческих материалов. По сравнению с традиционными методами оценки теплопроводности, метод Хармана обладает явным преимуществом за счет снижения относительного влияния тепловых потерь. Показано, как можно использовать этот метод для определения электрического контактного сопротивления, влияние которого возрастает с уменьшением длины термоэлем
Оптимальный коэффициент Зеебека для термоэлектрического материала с примесной электропроводностью может превышать 200 мкВ/К. Однако эта величина недостижима, если ширина запрещенной зоны меньше 4 kT, но и в этом случае необходимо учитывать наличие неосновных носителей заряда. В работе показано, что максимальное значение коэффициента Зеебека для заданной ширины запрещенной зоны можно существенно увеличить, если в материале рассеяние носителей заряда на ионизированных примесях будет преобладать над рассеянием на
"Предметом теории анизотропного рассеяния является разработка метода решения кинети-ческого уравнения в условиях анизотропного рассеяния. При этом речь идет не о каком-то ма-тематическом уточнении стандартной кинетической теории полупроводников, а о решении принципиальных вопросов."
А.Г. Самойлович.
Ранее было показано, что коэффициент Зеебека полуметалла или узкозонного полупроводника можно существенно повысить, благодаря рассеянию носителей зарядов на ионизированных при-месях. Однако это не всегда приводит к повышению термоэлектрической добротности, посколь-ку сопровождается уменьшением удельной электропроводности. Покажем возможность макси-мального увеличения добротности материала, в котором существует всего один тип носителей заряда. Затем перейдем к обсуждению
